雙層膜可以通過利用電子自旋來存儲數據
一項新研究顯示，由磁性材料和非磁性絕緣體制成的雙層薄膜具有顯著的存儲數據的潛力。
該薄膜可利用電子自旋來存儲數據：一種賦予電子角動量和微小磁場的特性。
傳統的硅芯片使用電荷及其移動以二進制數字(0和1)存儲數據。與具有負值和正值的電荷一樣，spin具有上下兩種狀態(tài)，可用于存儲數據。
雙層薄膜消除了電荷的移動，因此用它制造的存儲和計算設備可以在超低功率下運行。
來自美國明尼蘇達大學的王建平說：“這項工作具有巨大的實際應用，因為這種薄膜可以在室溫下在硅襯底上生長，采用半導體工業(yè)中廣泛使用的技術。”
研究人員，包括沙特阿拉伯國王阿卜杜拉科技大學的Aurelien Manchon，通過在硅襯底上生長的硒化鉍薄膜上沉積一層磁性材料來制備薄膜。
明尼蘇達大學的Mahendra Dangi Chhetri解釋說，這種薄膜將外部施加的電流轉換成積聚在磁性和硒化鉍層界面的自旋。旋轉然后將其自旋角動量轉移到磁層，磁層可以存儲數據。
Wang表示，接下來，該團隊計劃使用磁性材料和非磁性絕緣體的不同組合制造新型薄膜。
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