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      超晶格中的Umklapp散射被發(fā)現(xiàn)會(huì)降低石墨烯電荷載流子的高溫遷移率

      來(lái)自英國(guó),日本和美國(guó)的一組研究人員發(fā)現(xiàn),Momé超晶格中的Umklapp散射會(huì)降低其石墨烯電荷載體的固有高溫遷移率。在他們發(fā)表在“ 自然物理學(xué) ”雜志上的論文中,該小組描述了他們對(duì)用石墨烯制成的超晶格和使用六方氮化硼作為基質(zhì)的研究,以及他們發(fā)現(xiàn)的東西。

      超晶格中的Umklapp散射被發(fā)現(xiàn)會(huì)降低石墨烯電荷載流子的高溫遷移率

      甲超晶格是一結(jié)構(gòu)通過(guò)層疊兩個(gè)或更多的非常薄的材料制成的一起-其通常為幾納米的數(shù)量級(jí)上,并通常與至少部分地由石墨烯。隨著科學(xué)家尋找繼續(xù)縮小用于制造智能手機(jī)和筆記本電腦等設(shè)備的材料和結(jié)構(gòu)的方法,他們已經(jīng)研究了基于量子點(diǎn)超晶格的納米級(jí)原子簇陣列等結(jié)構(gòu)。值得注意的是,已經(jīng)觀察到超晶格的最佳設(shè)計(jì)遵循莫爾圖案(基于紡織品)。但是,由于研究人員對(duì)這一新努力的研究結(jié)果,這些想法可能不得不進(jìn)行修改。在他們的工作中,他們發(fā)現(xiàn)Umklapp電子 - 電子(Uee)散射降低了它的遷移率石墨烯中的載流子。

      Uee是一種散射過(guò)程,可以提供金屬電阻,并與超晶格一起使用。它允許電子將動(dòng)量傳遞到晶格,從而提供金屬電阻。研究人員指出,由于其他現(xiàn)象的干擾,傳統(tǒng)上很難測(cè)量該過(guò)程。

      在他們的實(shí)驗(yàn)中,研究人員用石墨烯和六方氮化硼制作了測(cè)試晶格。在使用超晶格進(jìn)行的測(cè)試中,他們發(fā)現(xiàn)Uee散射在晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)中主導(dǎo)了運(yùn)動(dòng)特性。這種優(yōu)勢(shì)導(dǎo)致了電阻率的過(guò)剩,電阻率隨晶格一起增長(zhǎng)。最終結(jié)果是室溫流動(dòng)性降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。

      研究人員指出,他們的研究結(jié)果并不排除在未來(lái)的電子設(shè)備中使用Uee和超晶格 - 他們發(fā)現(xiàn),通過(guò)不對(duì)準(zhǔn)或扭曲形成結(jié)構(gòu)的晶體可以防止電阻率的增加。也許是一個(gè)額外的步驟,但不是交易破壞者。

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